Společnost si hodně slibovala od 3nm procesu, se kterým nasadila technologii GAA / MBCFET, která má zlepšit elektrické vlastnosti tranzistoru, což s sebou nese nižší spotřebu a případně vyšší takty. Jenže TSMC se podařilo klasickou cestou dosáhnout lepšího výsledku než Samsungu s GAA, a tak většina zákazníků zůstala u něj. Samsung se však nevzdává (což je jedině dobře, dříve míval tendence v případě neúspěchu zrušit vývoj některých nových procesů) a plánuje velký návrat s 2nm procesem.

Což může znít trochu zvláštně. Když jsme se loni v červnu dozvěděli první informace o 2nm procesu Samsungu, znělo to jako špatný vtip. Oproti 3nm procesu (který příliš zájemců neoslovil) měl přinést 5% zvýšení denzity, 12% zvýšení taktů (při stejné spotřebě) a nebo 20% snížení spotřeby (při stejných taktech). Je sice pravda, že CEO Intelu nedávno prohlásil, že když je posun energetické efektivity dvouciferný, lze mluvit o novém procesu. Jenže když Samsung zaostává za konkurencí, 5-12-20% zlepšení nejsou hodnoty, které by ho mohly vrátit do hry.

Vypadá to, že se korejská společnost rozhodla trochu upravit plány. Tzv. BPS (Backside Power Supply), které měla implementovat až s 1,7nm procesem, totiž použije již pro 2nm výrobu. Jde v podstatě o obdobu toho, čemu Intel říká PowerVia a co nabídne u svých procesů 20A a 18A:

Změna spočívá v oddělení a posunu napájecí vrstvy pod tranzistory, čímž má být sníženo rušení a zjednodušen návrh čipu. Přestože se o BPS hovoří jako o velké věci, posuny samotných parametrů uváděných u procesorů vybavených touto technologií nejsou stále nijak zásadní (nižší než bylo doposud obvyklé), což indikuje, že i mnohem menší mezigenerační posuny výrobních procesů budou vyžadovat mnohem více úsilí a implementace nových myšlenek.

Samsung také před pár týdny oznámil úzkou spolupráci s ARM, jejímž cílem je zajistit snadný návrh nových generací čipů pro 2nm procesy Samsungu. Prvním experimentálním ovocem této spolupráce v kombinaci s 2nm procesem vybaveným BPS mělo být snížení plochy dvou 2nm ARM návrhů o 10 a 19 % oproti 3nm ekvivalentu při jednociferném zvýšení taktovacích frekvencí. Plocha čipu tedy klesla výrazněji než o loni uváděných 5 %, takže určitý úspěch lze Samsungu přiznat. Na zásadnější hodnocení je však příliš brzy, jasno bude příští rok, kdy Samsung očekává zahájení výroby.

Společnost si hodně slibovala od 3nm procesu, se kterým nasadila technologii GAA / MBCFET, která má zlepšit elektrické vlastnosti tranzistoru, což s sebou nese nižší spotřebu a případně vyšší takty. Jenže TSMC se podařilo klasickou cestou dosáhnout lepšího výsledku než Samsungu s GAA, a tak většina zákazníků zůstala u něj. Samsung se však nevzdává (což je jedině dobře, dříve míval tendence v případě neúspěchu zrušit vývoj některých nových procesů) a plánuje velký návrat s 2nm procesem.

Což může znít trochu zvláštně. Když jsme se loni v červnu dozvěděli první informace o 2nm procesu Samsungu, znělo to jako špatný vtip. Oproti 3nm procesu (který příliš zájemců neoslovil) měl přinést 5% zvýšení denzity, 12% zvýšení taktů (při stejné spotřebě) a nebo 20% snížení spotřeby (při stejných taktech). Je sice pravda, že CEO Intelu nedávno prohlásil, že když je posun energetické efektivity dvouciferný, lze mluvit o novém procesu. Jenže když Samsung zaostává za konkurencí, 5-12-20% zlepšení nejsou hodnoty, které by ho mohly vrátit do hry.

Vypadá to, že se korejská společnost rozhodla trochu upravit plány. Tzv. BPS (Backside Power Supply), které měla implementovat až s 1,7nm procesem, totiž použije již pro 2nm výrobu. Jde v podstatě o obdobu toho, čemu Intel říká PowerVia a co nabídne u svých procesů 20A a 18A:

Změna spočívá v oddělení a posunu napájecí vrstvy pod tranzistory, čímž má být sníženo rušení a zjednodušen návrh čipu. Přestože se o BPS hovoří jako o velké věci, posuny samotných parametrů uváděných u procesorů vybavených touto technologií nejsou stále nijak zásadní (nižší než bylo doposud obvyklé), což indikuje, že i mnohem menší mezigenerační posuny výrobních procesů budou vyžadovat mnohem více úsilí a implementace nových myšlenek.

Samsung také před pár týdny oznámil úzkou spolupráci s ARM, jejímž cílem je zajistit snadný návrh nových generací čipů pro 2nm procesy Samsungu. Prvním experimentálním ovocem této spolupráce v kombinaci s 2nm procesem vybaveným BPS mělo být snížení plochy dvou 2nm ARM návrhů o 10 a 19 % oproti 3nm ekvivalentu při jednociferném zvýšení taktovacích frekvencí. Plocha čipu tedy klesla výrazněji než o loni uváděných 5 %, takže určitý úspěch lze Samsungu přiznat. Na zásadnější hodnocení je však příliš brzy, jasno bude příští rok, kdy Samsung očekává zahájení výroby.