Před pár dny byla řeč o HBM3E, začíná však krystalizovat i podoba HBM4. Ty měly podle původních (ještě loni na podzim uváděných) plánů přinést technologii hybrid-bonding, díky které by si jednotlivé vrstvy byly blíže (než stávajících 13 μm), díky čemuž by celé pouzdro na výšku nepřesáhlo 720 μm. Ukázalo se však, že by to přinejmenším pro některé výrobce představovalo dost zásadní problém. Prozatím to vypadá, že JEDEC v tomto ohledu trochu rozvolní tak, aby výrobci mohli použít stávající technologie pouzdření. V důsledku toho bude maximální výška (bez ohledu na počet vrstev) stanovena na 775 μm.

Ještě v prosinci se s HBM4 očekávalo nasazení pouzdřící technologie Hybrid bonding (Hynix)

Pokud je řeč o počtu vrstev, připomeňme, že HBM4 jej navýší až na 16. Současné HBM3(P/E) umožňují až 12, ale s první generací HBM3 reálně výrobci končili na osmi a například Micron zatím ohlásil 8 vrstev i pro HBM3E, které budou v podání Hynixu a Samsungu až dvanáctivrstvé. Je tedy potřeba vzít v potaz možnost, že 16 vrstev nedorazí hned s první generací produktů.

To je pravděpodobné už s ohledem na nedávné prohlášení Hynixu, který jako první plánuje nabídnout 36GB moduly (da facto čipy, ale v terminologii HBM je za čip obvykle považována vrstva a celému navrstvenému produktu s říká modul). Což je 12 3GB vrstev. Standard však bude počítat s až 16 4GB vrstvami, tedy 64GB na modul („čip“).

Jednou ze zásadních novinek bude 2048bit (tzn. 2× širší rozhraní). Pokud lze dedukovat z Hynixem zmíněných 1,5-2 TB/s, bude rychlost rozhraní nižší než u HBM3, zhruba 6-8 Gb/s, což by mohlo pozitivně ovlivnit spotřebu. Hynix nicméně nevylučuje ani možnost vyšších rychlostí než 2 TB/s, ale to bude patrně výhled na konec éry HBM4, který je jistě velmi daleko.

Prozatím lze říct, že JEDEC plánuje zveřejnit HBM4 standard příští rok (2025) a vydání fyzických paměti se očekává v roce 2026. Do té doby si výrobci výkonných akcelerátorů a procesorů budou muset vystačit s nyní ohlášenými HBM3E.

Před pár dny byla řeč o HBM3E, začíná však krystalizovat i podoba HBM4. Ty měly podle původních (ještě loni na podzim uváděných) plánů přinést technologii hybrid-bonding, díky které by si jednotlivé vrstvy byly blíže (než stávajících 13 μm), díky čemuž by celé pouzdro na výšku nepřesáhlo 720 μm. Ukázalo se však, že by to přinejmenším pro některé výrobce představovalo dost zásadní problém. Prozatím to vypadá, že JEDEC v tomto ohledu trochu rozvolní tak, aby výrobci mohli použít stávající technologie pouzdření. V důsledku toho bude maximální výška (bez ohledu na počet vrstev) stanovena na 775 μm.

Ještě v prosinci se s HBM4 očekávalo nasazení pouzdřící technologie Hybrid bonding (Hynix)

Pokud je řeč o počtu vrstev, připomeňme, že HBM4 jej navýší až na 16. Současné HBM3(P/E) umožňují až 12, ale s první generací HBM3 reálně výrobci končili na osmi a například Micron zatím ohlásil 8 vrstev i pro HBM3E, které budou v podání Hynixu a Samsungu až dvanáctivrstvé. Je tedy potřeba vzít v potaz možnost, že 16 vrstev nedorazí hned s první generací produktů.

To je pravděpodobné už s ohledem na nedávné prohlášení Hynixu, který jako první plánuje nabídnout 36GB moduly (da facto čipy, ale v terminologii HBM je za čip obvykle považována vrstva a celému navrstvenému produktu s říká modul). Což je 12 3GB vrstev. Standard však bude počítat s až 16 4GB vrstvami, tedy 64GB na modul („čip“).

Jednou ze zásadních novinek bude 2048bit (tzn. 2× širší rozhraní). Pokud lze dedukovat z Hynixem zmíněných 1,5-2 TB/s, bude rychlost rozhraní nižší než u HBM3, zhruba 6-8 Gb/s, což by mohlo pozitivně ovlivnit spotřebu. Hynix nicméně nevylučuje ani možnost vyšších rychlostí než 2 TB/s, ale to bude patrně výhled na konec éry HBM4, který je jistě velmi daleko.

Prozatím lze říct, že JEDEC plánuje zveřejnit HBM4 standard příští rok (2025) a vydání fyzických paměti se očekává v roce 2026. Do té doby si výrobci výkonných akcelerátorů a procesorů budou muset vystačit s nyní ohlášenými HBM3E.